2024年10月10日讯 —— 两台高数值孔径(High NA)极紫外(EUV)光刻机近日在一家领先的芯片制造商的工厂内顺利完成安装。这两台设备每台售价约为3.5亿美元,是目前全球最先进且最昂贵的光刻机之一。
高数值孔径EUV光刻机迅速部署
据悉,这两台高数值孔径EUV光刻机已于去年年底运抵位于美国俄勒冈州的生产工厂,预计将在2025年年底开始投入生产。这些光刻机被认为是现有EUV技术的“升级版”,而非全新产品,使得其推出和采用速度相对较快。
“高数值孔径EUV光刻机更像是现有EUV光刻机的升级款,我们期待其能够快速推出和应用,”该公司新任首席执行官在近期的一次公开演讲中表示。
创新组装方法节省时间与成本
在近期举办的国际光学大会上,该公司新任首席执行官详细介绍了高数值孔径EUV光刻机的组装新方法。这些设备现在可以在客户现场进行组装,而无需在制造商处预先组装后再拆卸搬运。这一方法已在处理相对简单的沉积和蚀刻工具时取得成功,对于高复杂度的光刻设备则仍在优化中。此举预计将大幅节省时间和成本,加快高数值孔径EUV光刻机的发展步伐。
模块化设计提升通用性与效率
常规EUV光刻设备与高数值孔径EUV光刻设备之间的主要区别在于镜头堆栈。通过模块化设计,用户可以在同一基本工具中更换不同类型的镜头堆栈,包括常规EUV镜头、高数值孔径镜头及超高数值孔径镜头。这种设计不仅提高了设备的通用性,还带来了更多的成本节约和安装时间的缩短,从而提升了整体利润。
稳定电源与高效生产
高数值孔径EUV光刻机所需的基础设施已全部到位并开始运行,包括稳定的740瓦电源,未来将实现1000瓦的供电能力。此外,光掩模检查系统也已启动,确保设备无需过多辅助支持即可投入生产。
高掩模尺寸突破芯片性能
去年,一位芯片工艺专家在国际会议上提出将掩模尺寸从6英寸×6英寸扩大到6英寸×12英寸的想法。今年,该技术得到了多家光掩模基础设施公司的大力支持。该公司表示,采用双倍尺寸掩模对于行业来说是一个轻松的突破,预计将克服高数值孔径技术在芯片尺寸上的限制,实现40%的性能提升。
高数值孔径光刻机加速生产
另一位光刻总监透露,目前已有两台高数值孔径EUV光刻机在波兰的生产工厂安装完毕。这两台系统展示了相较于标准EUV光刻机的显著改进,预计安装速度将比第一台更快。所有必要的基础设施已到位,光掩模检查系统也已开始运行,使得高数值孔径EUV光刻机能够更快地投入生产。
行业内的反应与未来展望
尽管部分芯片制造商以成本为由暂缓接受高数值孔径EUV光刻机,但业内分析人士预测,随着技术的不断进步和生产效率的提升,这些制造商将不得不跟进,以保持在行业内的竞争力。此外,有传言称,高数值孔径光刻机的推出将有助于克服当前技术瓶颈,推动摩尔定律的持续发展。
此次会议对高数值孔径EUV光刻机的推出及整体技术进步被视为利好消息,不仅有助于提升芯片制造的精度和效率,也对相关设备制造商的股价产生积极影响。随着全球半导体市场对先进光刻技术需求的增加,高数值孔径EUV光刻机的成功部署将进一步巩固其在行业内的领先地位。
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